集成電路用基板、太陽能電池用基板的薄片狀產(chǎn)品的切割制備，采用多線切割原理，用鋼絲帶動由碳化硅磨料構(gòu)成的砂漿對高純度的單晶硅或多晶硅棒進(jìn)行切割。在切割硅棒為硅片的同時(shí)也產(chǎn)生了一定量的硅屑，隨著切割過程的進(jìn)行，混入切割液中的硅屑越來越多，使砂漿的切割性能降低，導(dǎo)致獲得的硅片精度惡化，硅屑的產(chǎn)生不僅影響了切割液的使用，還使硅棒的使用率下降。作為戰(zhàn)略資源，在我國高純度硅的百分之95需要進(jìn)口，其主要原因是我國還無法規(guī)?；瘜⒐I(yè)硅加工成高純度的多晶硅。而廢的切割砂漿里面混有百分之8～9（重量）的高純硅粉料，在硅棒切割加工過程中高純硅棒的切割損失率高達(dá)百分之40（重量），這也是硅片成本高居不下的原因之一。
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